グローバルInPレーザの市場に到達USドル171百万円による2034駆動するシリコンフォトニクス統合400G+の企プロンプト
グローバルInPレーザー市場で評価された米ドル80.6百万円の2026年にUSドルに達171百万円による2034展示し、平均成長率は11.7%の予想期間2026-2034. は着実に拡大曲hyperscale帯域のニーズや日替スケーリングです。
InPレーザはIII-V族半導体デバイスの成長によMOCVD/MBEる光コヒーレント光1310-1625nmを通じて量子も活動領域を>10GHz変調400G ZRトランシーバー. カ<100kHzの線幅は、SMSR>50dBが得られるため、DWDMシステム<0.2dBの挿入損失です。 重要なメトロ/長距離ファイバ、コヒーレントpluggables、ライダーでの眼-安全1550nm、InPは、既存GaAs熱効率を30％のC-バンド。
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市場の定義および動態
InPレーザー光電力のエンジンQSFP-DD/OSFPモジュールのためのEthernet/IPネットワーク、1300-1600nmの請求77%数量石英ファイバの低損失ウインドウです。 北米の39%のシェアを反映してクラウド投;APACの31%トラックの製造プ. 動力学センターハイブリッドIII-V/Si統合収量が50%のコスト削減の範InP PICs、CPOを削減SERDES電力の40%でした。
テレコムを消費73%によEDFAポンプ及びトランスポンダ.
市場のドライバー
- クラウド交通打50ZB毎年厳しい800G+コヒーレント光学が可能です。
- シリコンフォトニクスに捉え、必要な外部InP CWレーザーの不均一tx.
- FTTH拡大新興市場の消費1.6µmのポンプダイオードです。
- 5G fronthaul要25G SFP28とInP EMLs.
市場の抑制
- MOCVD輸出物価指数-類別"はん用-コスト3x GaAsによるインジウム前駆体の価格のボラティリティ
- ＜1%の利回り罰則8"InPウェーハに対しコスト的な問題があります。
- 熱暴走の上100mW CW出力なしです。
市場機会
- 長範囲fmcw方式ライダー1550nmのためL3+る。
- 量子確保QKDネットワークを用い狭線幅DFBs.
- コヒーレントPON OLTsを50G対称のファイバです。
競争的景観
MACOM/Lumentum/コヒーレント制御68%を輸出物価指数-類別"はん用-垂直/fab制御およびCW DFBファンドリーサービス. II-VIのコヒーレント獲得強化1550nmポートフォリオ、ニッチプレーヤーの対象のカスタムDBRsのためのセンシング
にフォーカスが移チップパッケージと<1mm2の足跡.
キーの一覧InPレーザー企業
- MACOM
- Lumentum
- コヒーレント
- InPhenix
- Sheaumannレーザー
- SemiNex
- Eblanaフォトニクス
- Shengshi光学技術
- Chilas
- II-VI社
セグメント分析によりタイプ
- 1300nm-1600nm:77%を占;C/LバンドのDWDMます。
- 以下1300nm:O-バンドの短辺MXPs.
- 上記1600nm:L+バンドの延長レーザ用です。
申請により
- 情報コミュニケーション：73%数量400ZR pluggables.
- 医療:OCTイメージング1310nmにおける.
- 航空宇宙-防衛:コヒーレントLADARを求める人々である。
- その他のガスセンシング分析しています。
地域の見
北米が39%によhyperscaler DC構築;APACが最速、中国からのDWDMアップヨーロッパの専門防衛ズ;リカラテンアメリカ/MEAが送海底ケーブル陸揚げ.
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