先端ノードの排出制御の進展に伴い、半導体向けガススクラバー市場は2034年までに30億ドル規模に達する見込みプロンプト

半導体向けガススクラバーの世界市場は、2026年には17億米ドル規模と推定され、2026年から2034年にかけて年平均成長率8.2%で成長し、2034年には30億米ドルに達すると予測されています。この力強い成長は、ファブの拡張とPFAS/NF3排出規制の強化を背景にしています。

ガススクラバー（除害システム）は、充填塔、ベンチュリエジェクター、流動床などを用いて、苛性スプレーによる化学吸収、2,500℃のプラズマトーチアークによる分解、ClF3加水分解触媒床、またはCO2/H2Oへの熱酸化燃焼により、NF3（GWP 17,000）、SiH4、WF6などのPFCを中和します。50～500 slmの流量でファブ排気と統合することで、SEMI E10準拠の99.99%を超える破壊除去効率（DRE）を達成し、CVD前駆体（TEOS、TDMAT）、エッチング液（SF6、C4F8）、拡散ドーパント（B2H6、PH3）を処理します。これらの処理は、使用場所（POU）またはハウス真空に配管されます。datainsightsmarket+1

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市場の定義と動向

300mm/2nmファブにおける温室効果ガス排出量削減を特徴とするセクター。エッチング/CVD工程では、EUのETS炭素価格設定と米国AIM法によるHFC段階的導入が進む中、ウェーハ1ロットあたり10～50kgのNF3が排出される。TSMC/Samsungの2030年までに20以上の新ファブ建設、ハイブリッドプラズマ・ウェットコンボによる運用コスト30%削減、AWS IoTによる予知保全を可能にするIoTセンサーなどが、このセクターの動向を左右する。semiconductorinsight+1

APAC の工場 (生産能力の 80%) が 85% の需要を牽引しており、SK Hynix HBM3e ラインでは ClF3/PHM スクラバーによる 99.999% を超える稼働率が求められています。

市場の推進要因

• 2nm/1.4nm ノードの複雑性により PFC 負荷が増大: TSMC N2P ランプは 7nm と比較して 2 倍の NF3 を放出し、プラズマ DRE を 99.999% 超に促進します。
• 半導体排出をターゲットとした世界的 GHG 規制: カリフォルニア州の CARB AB 32 は、2028 年までに PFC を 25% 削減することを義務付け、不遵守を解消します。
• HBM/AI パッケージングのスケーリングガス量: SK Hynix 12-Hi スタックでは、SiH4/TEOS CVD に 400slm の削減が必要です。
• レガシーファブのエネルギー効率の高い改修: Intel D1X アップグレードにより、触媒ベッドを介して kWh を 20% 削減します。

市場の制限

• ツールセットあたりの設備投資額は200万～500万米ドルです。TSMCの工場では予算の5%を削減に割り当てており、中小企業の立ち上げが遅れています。
• アーク電極/吸着剤のサプライチェーン：希土類触媒は中国の輸出制限に直面し、コストが 15% 上昇。
• 副産物スラッジ処理ロジスティクス：湿式システムでは、ツールごとに1～2トン/月のHF塩が生成されます。

市場機会

• AI に最適化された予測的除去制御: Edwards Vac Genesis は ML を統合して試薬を 25% 節約します。
• エッジファブ向けモジュラー CPO スクラバー ハイブリッド: Applied Materials が OSAT HBM ラインをパイロットします。
• 乾燥 NF3 用再生ゼオライト サイクル: Kanken は Intel 工場を対象に、メディアの 80% をリサイクルします。

競争環境

半導体企業向け主要ガススクラバー一覧

• 荏原（日本）
• グローバルスタンダードテクノロジー（韓国）
• ユニセム（韓国）
• CSK（韓国）
• エドワーズ・バキューム（英国）
• カンケンテクノ（日本）
• エコシス（米国）
• DAS Environmental Expert GmbH（ドイツ）
• GNBSエンジニアリング（韓国）
• YOUNGJIN IND（韓国）
• インテグレーテッド・プラズマ社（IPI）（韓国）
• MAT Plus（韓国）
• KCイノベーション（韓国）
• CSクリーンソリューション（韓国）
• トリプルコアテクノロジー（台湾）

タイプ別セグメント分析

• 燃焼スクラバー：VOCの熱酸化、シェア20%
• プラズマスクラバー：フッ化物用アーク/プラズマ、30%。
• ヒートウェットスクラバー：酸用苛性ソーダ、25%。
• 乾式スクラバー：PFC の吸着率 25%。
• アプリケーション別
• CVD ：SiH4/NF3が優勢40%。
• 拡散：B2H6/TEOS 20%。
• エッチング：SF6/CF4 30%。
• その他：ストリップ/インプラント10％。

地域別インサイト

アジア太平洋地域はTSMC/Samsungのファブ（SK Hynixの生産47%）により82%で圧倒的なシェアを占め、北米はIntel/GlobalFoundriesの改修により10%、欧州はInfineonのパワー半導体削減により6%、RoWは新興インドのファブにより2%を占めています。semiconductorinsight+1

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