世界のGaNパワーアンプ市場は、2026年に21億米ドル規模と推定され、2026年から2034年にかけて年平均成長率(CAGR)12.8%で成長し、2034年には48億米ドルに達すると予測されています。AI RANおよび衛星通信ペイロードにおけるRFフロントエンドの高密度化が、力強い成長を牽引しています。
GaNパワーアンプは、3.4eVのバンドギャップを活かして50Vのブレークダウン電圧を実現し、200GHz fT HEMTはKu/Ka帯で100W/mmの電力密度を実現します。GaN -on - SiC (150W/mmの熱抵抗)またはGaN -on-Si(コスト最適化)のQFN/Cuフランジパッケージで提供されます。P1dB >50dBm、PAE >60%(クラスAB/EPA)を実現し、DPDによるOFDMのIMD3 <-30dBcの線形化を実現します。Massive MIMO AA(64T64R)、SATCOM BUC(30W KaTWTA )、AESA TRM(10W Xバンド)、EVレーダー(77GHz 4D)に不可欠な製品です。
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市場の定義と動向
市場は10GHz超のGaAs/LDMOSに代わるワイドバンドギャップRF PAに焦点を合わせており、5G FR2では300万のマクロ基地局が展開され、Starlink 10k LEOでは100W SSPAが求められています。中核となるのは、ITU-R IMT2030周波数オークション、国防総省NGJ(150億ドル)の増加、そして1Gbps LEOバックホールを可能にする3GPP Rel-18 NTN仕様です。
Dynamics は、モノリシック デュアル MMIC (Qorvo TGA2968 60W Ka)、 1kW DoD アレイにスケーリングされたGaN MMIC、および DSP DPD とのSiP統合を特徴としており、4096QAM で EVM を 3% に削減します。
市場の推進要因
市場の制約
市場機会
競争環境
Viasat向けQPA2960 60W Kuでトップに立っています。
GaNパワーアンプ企業一覧
タイプ別セグメント分析
アプリケーション別
地域別インサイト
北米は DoD/Verizon 5G で 35% をリードし、アジア太平洋地域は Huawei/Samsung mmWave で40% 、欧州は Nokia/Thales 衛星通信で 15%、中南米/中東アフリカは新興 5G パイロットで 10% を占めています。
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